多量子阱相关论文
随着半导体材料与器件的不断研究与发展,AlGaN基紫外发光二极管（light-emitting diode,LED）应用越来越广泛,在一些新领域也逐渐得到......
随着无线通信的发展,诸多问题涌现,例如频谱资源逐渐紧缺、对环境的污染、应用场景的限制和安全性较低等,可见光无线通信逐渐进入......
分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种......
随着军事应用对探测技术要求的不断提高,探测精度更高、误警率更低的双色或多色探测器成为当前的研究热点.本文阐述了可用于单一芯......
本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上......
本报告进行了具有全光谱和抗辐照特性的InGaN电池与材料生长方面的研究工作,重点研究了吸收带边为2.7eV处作为顶电池的InGaN/GaN量......
本文利用脉冲沉积MOCVD方法分别在planar和pss蓝宝石衬底上制备出了lnGaN多量子阱太阳电池,并测试了器件的IV特性。结果表明,pss衬......
本文介绍采用飞秒饱和吸收测量技术研究AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱结构中受激载流子的超快弛豫特性.当激发光子能量大于样品势垒层能......
用MOCVD在CaF2衬底上生长的ZnSe/ZnS多量子阱材料,在77K下用N2激光泵浦染料获得的宽带光脉冲进行了非线性光学测量,首次观察到ZnSe......
用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上，采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs)，通过室温发光光......
对多量子阱被动锁模半导体激光器的噪声理论进行了系统的分析,并给出了半导体激光器腔内相位随载流子浓度变化的关系。研究表明,被......
在InGaN/GaN多量子阱(MQW)中存在较大的压电极化场,由此引起的量子限制斯塔克效应(QCSE)会造成电子空穴的辐射复合率下降。设计生......
考虑温度变化和载流子注入阱间分布不均匀性,给出求解量子阱材料折射率变化的理论分析模型。分析了量子阱应变量大小、阱宽、垒区......
导出了两种材料构成的多量子阱光波导的模式截止方程，并讨论了Ｓｉ衬底上生长的应变ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ多量子阱光波导的模式截止特性。......
Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with patterned sapphire substrat
In this paper,the enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells grown on patterned sapphire substr......
利用转移矩阵技术，在建立波导芯区域等效折射率的基础上，导出任意折射率多量子阱波导的色散方程，该方程的数值精度与量子阱数的多少无......
通过优化多量子阱纳米线激光器内核和外壳，美国科研人员得到了一种控制和调谐范围最大的激光器。他们首次合成了包围纳米线内核的同......
Resonant cavity enhanced photoluminescence of tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon-on-i
The tensile strained Ge/SiGe multiple quantum wells(MQWs) grown on a silicon-on-insulator(SOI) substrate were fabricated......
在光折变多量子中，通过Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应可写入电吸收栅和电折变栅，基于二波耦合理论，精确求解了由这两种光栅引起的光强耦合方程，近似计算了Ｒａｍａｎ－Ｎａｔｈ高阶衍......
Dependence of femtosecond time-resolved magneto-optical Kerr rotation on the direction of polarizati
我们证明 femtosecond 当 Al0.25Ga0.75As/GaAs 多量井的一件样品被循环地极化的泵激动并且从 800 ～ 830 nm 在波长由一根线性地极......
本文报道１０×１６元二维面阵ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的研究进展．通过表面光栅耦合，采用垂直入射的工作模式，在Ｔ＝８０Ｋ时探测率为２．９×１０（１０）ｃｍ·Ｈｚ（１／２）／Ｗ，电压响应率为１．３×１０４Ｖ／Ｗ．各测......
测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异......
利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在......
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器研究沈学础，陆卫（上海技术物理研究所上海２０００８３）本文所作的研究包括：１．基本物理机制研究在理论上研究了子带间跃迁的基本物......
八十年代后期,贝尔实验室首先提出了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)结构的红外探测器,并报道了器件性能。近几年来,广泛开展了对量子阱......
ＺｎＳｅ０．９３Ｔｅ０．０７┐ＺｎＳｅ多量子阱的光泵受激发射＊于广友范希武张吉英杨宝均赵晓薇申德振（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验......
本文报导了ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的受激发射机理．阈值时（Ｊｔｈ）受激发射峰相对于激子吸收峰的能量差（１９ｍｅＶ）与激子束缚能接近．激发光强度在３Ｊｔｈ～４．８Ｊｔｈ之间变化时，该能量差随......
ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳栗红玉，申德振，张吉英，范希武，杨宝均（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（中国科......
一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．
A current controlled two......
用可饱和布喇格反射器对固体激光器锁模半导体可饱和吸收体已成功地用於被动锁模固体激光器，产生了稳定的超短光脉冲。其方法包括用......
本文讨论了在ＺｎＳｅ薄膜材料及ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱中宽阱材料和窄阱材料的激子弛豫过程和在窄阱材料中激子受激发射
In this paper, we discuss th......
由电子在一维三势阱、三势垒体系中能量状态的数值结果，说明了超晶格和多量子阱属性的区别。
The numerical results of the energ......
用常压ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱。在室温下，观测到了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的三个谱带发光。根据ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的吸收光谱和不同激发光强下的发光光......
报道一种用作光通讯光源的外腔锁模多量子阱结构半导体激光器。其脉冲宽度为２～５ｐｓ，波长调谐范围为１．５２～１．５７μｍ，锁模频率０．５～１．０ＧＨｚ，平均输出光功率为１ｍＷ
A cavity......
一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的InxGa1-xAs缓冲层的MOCVD生长．在这种InxGa1-xAs缓冲层上生长的InyGa1-yAs／AlzGa1-zAs／GaAs／AlzGa......
导出了由两种材料构成的多量子阱光波导的模式截止方程，并讨论了Si衬底上生长的应变GexSi1-x／Si多量子阶光波导的模式截止特性。
Th......
报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长λｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％～９０％），Ｉｔｈ可降低３．８～５．ｌｍＡ，λ......
利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质......
在国产CBE设备上，用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs／InP应变多星子阶P-i-N结构材料，阶层......
本文采用传输矩阵的方法计算了GexSi1－x／Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布，光场限制因子和有效吸收系数的影响，......
对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱（ＭＱＷ）红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽、高和腐蚀深度分......
在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As／In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试......
本文从理论上分析计算并给出了应变多量子阱激光器阱数与腔长的优化设计结果．考虑到多生子阱阱区的注入不均匀性，提出了一种新的分析......
针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从油松方程和电流连续方程出发，提出每个阱单独考虑......
