多量子阱相关论文
随着半导体材料与器件的不断研究与发展,AlGaN基紫外发光二极管（light-emitting diode,LED）应用越来越广泛,在一些新领域也逐渐得到......
随着无线通信的发展,诸多问题涌现,例如频谱资源逐渐紧缺、对环境的污染、应用场景的限制和安全性较低等,可见光无线通信逐渐进入......
本文介绍采用飞秒饱和吸收测量技术研究AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱结构中受激载流子的超快弛豫特性.当激发光子能量大于样品势垒层能......
用MOCVD在CaF2衬底上生长的ZnSe/ZnS多量子阱材料,在77K下用N2激光泵浦染料获得的宽带光脉冲进行了非线性光学测量,首次观察到ZnSe......
用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上，采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs)，通过室温发光光......
对多量子阱被动锁模半导体激光器的噪声理论进行了系统的分析,并给出了半导体激光器腔内相位随载流子浓度变化的关系。研究表明,被......
在InGaN/GaN多量子阱(MQW)中存在较大的压电极化场,由此引起的量子限制斯塔克效应(QCSE)会造成电子空穴的辐射复合率下降。设计生......
考虑温度变化和载流子注入阱间分布不均匀性,给出求解量子阱材料折射率变化的理论分析模型。分析了量子阱应变量大小、阱宽、垒区......
通过优化多量子阱纳米线激光器内核和外壳，美国科研人员得到了一种控制和调谐范围最大的激光器。他们首次合成了包围纳米线内核的同......
在光折变多量子中，通过Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应可写入电吸收栅和电折变栅，基于二波耦合理论，精确求解了由这两种光栅引起的光强耦合方程，近似计算了Ｒａｍａｎ－Ｎａｔｈ高阶衍......
本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长......
报道一种用作光通讯光源的外腔锁模多量子阱结构半导体激光器。其脉冲宽度为２～５ｐｓ，波长调谐范围为１．５２～１．５７μｍ，锁模频率０．５～１．０ＧＨｚ，平均输出光功率为１ｍＷ
A cavity......
导出了由两种材料构成的多量子阱光波导的模式截止方程，并讨论了Si衬底上生长的应变GexSi1-x／Si多量子阶光波导的模式截止特性。
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首次在理论上用量子阱激光器增益与载流子密度的对数关系替代了原有速率方程中的线性关系，得到了改进了的速率方程，分析了稳态和调制......
给出用以分析非线性包层多量子阱波导ＴＥ模光学非线性与双稳性的理论公式与计算方法。指出用均方根等效折射率法解本征方程是有效的简......
在三段电注入应变多量子阱分布反馈激光器中，应用增益杠杆效应扩大了波长的可调谐范围。对其中两段加固定偏置直流电流，另一段作为控......
制作了光互连用８×８多量子阱空间光调制器，测量了其耐压特性、模式均匀性、对比度和插入损耗等。使用Ｄａｍｍａｎｎ光栅分束器将半导体激光束分成等......
报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μ......
利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合ＫｒＦ准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的ａ－ＳｉＨ薄膜以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结......
日本日立公司最近生产了一种高功率可见光激光二极管-HL 6738 MG。这种激光器的连续输出功率高达35 mW,可见光输出波长λ_p=680-6......
半导体量子阱（QW）次带间跃迁（ISB-T）有超快弛豫时间、大跃迁偶极矩和跃迁波长可调谐性大等优点。在级联激光器、光电探测器和光学开关......
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长......
通过求解修正的基于k.p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下的不同阱宽和垒厚的InGaN/GaN多量子......
设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。通过采用Mg掺杂的AlInN-InGaN-AlInN作为LED的电子阻挡层,减小由极化引起的静电场,......
报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒)量子阱为有源区的1.31μmTM偏振高速激光器。以1%张应变的In_(0.49)Ga_(0.51)As_(0.79)P_(0......
设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出......
针对InGaN/GaN多量子阱LED,分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制,从而推导出对应能态电流输运机......
介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系,并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程。根据......
期刊
InGaN材料具有优良的物理特性、化学特性、光学性质、电学性质以及优异的材料机械特性。它的禁带宽度大、击穿电场高、电导率大等......
GaN材料由于其优异的性能,成为了目前研究的热点,GaN具有高禁带宽度、高击穿电压、抗辐射等优点,被应用到制备耐高温、耐高压、抗......
随着社会的不断发展,电能的消耗也越来越大。据统计,我国每年照明用电的总消耗约占全部电能消耗的12%-15%,其中传统照明光源的低效......
针对ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱（MQW）结构,考虑内建电场的作用,重点讨论MQW结构阱间耦合、尺寸和三元混晶效应对电子子带间跃迁光吸收的......
LED器件已经广泛用于通用照明、背光显示等传统领域,也逐渐向智能化应用融合。随着LED器件的不断发展,基于LED的可见光通信技术也......
简单分析了碟型微腔激光器中的激射模式及自发发射系数.采用反应离子刻蚀和选择性刻蚀方法蚀刻出InGaAs/InGaAsP多量子阱(MQW)碟型......
利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究.针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,......
最近,美国贝尔通讯公司的 Kash 等人第一次报导了电子空穴处于超一维限制状态的Ⅱ—Ⅴ族多量子阱结构的激发光谱。作者的样品用电......
利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09......
本文用Floquet理论分析了多量子阱(阱垒数N>>1)波导的传输和色散特性,给出了适用于TE和TM两种偏振态的等效三层平板波导芯子折射率......
探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指......
利用转移矩阵技术,建立了薄膜近似下的多量子阱波导芯子区域等效折射率的解析公式。该公式是偏振态和量子阱波导折射率分布的函数......
提出了一种新颖的自由空间微光学互连模块。该光学互连模块是由自由空间光学全交叉互连网络和非对称Ｆａｂｒｙ－Ｐｅｒｏｔ腔多量子阱反射调制器作为电寻......
提出了一种基于全交叉开关网络的电寻址四功能多量子阱开关节点方式。采用２个１×８非对称Ｆａｂｒｙ－Ｐｅｒｏｔ胜多量子阱反射调制器列阵构成４对电寻址四功能......
